Rof Eo modulator Pulse laser source DFB Laser module DFB Semiconductor laser ប្រភពពន្លឺ
លក្ខណៈ
ទទឹងជីពចររហូតដល់ 3ns
ជម្រើសច្រើនរលក៖ ៨៥០, ៩០៥, ១០៦៤, ១៣១០, ១៥៥០ nm
ទទឹងជីពចរអាចលៃតម្រូវបាន។
អត្រាជីពចរឡើងវិញអាចលៃតម្រូវបាន។
ចំណុចប្រទាក់សញ្ញាអគ្គិសនីសមកាលកម្មដែលភ្ជាប់មកជាមួយ
កេះខាងក្នុង និងខាងក្រៅស្រេចចិត្ត
ផ្ទៃតុ ម៉ូឌុលស្រេចចិត្ត
អាចត្រូវបានប្ដូរតាមបំណងតាមតម្រូវការរបស់អតិថិជន
ការដាក់ពាក្យ
ជួរឡាស៊ែរ
ប្រភពពន្លឺគ្រាប់ពូជ
ការចាប់សរសៃអុបទិក
ការធ្វើតេស្តឧបករណ៍អកម្ម
ប៉ារ៉ាម៉ែត្រ
| ប៉ារ៉ាម៉ែត្រ | និមិត្តសញ្ញា | នាទី | វាយ | អតិបរមា | ឯកតា | ||
| ប្រវែងរលកប្រតិបត្តិការ | l | ៨៥២/១០៦៤/១៣១០/១៥៥០ | nm | ||||
| បញ្ចេញថាមពលអុបទិក | Po | - | 13 | 16 | dBm | ||
| 3dBទទឹងវិសាលគម | DL* | 0.០៥ | 2 | 3 | MHz | ||
| SMSR | SMSR | 30 | 45 |
| dB | ||
| អាំងតង់ស៊ីតេសំលេងរំខាន | រិន |
| -១៦០ | -១៥០ | dB/Hz | ||
| ស្ថេរភាពថាមពល** | PSS |
|
| ± 0.005 | dB/5 នាទី | ||
| PLS |
|
| ± 0.01 | dB/8 ម៉ោង។ | |||
| ភាពឯកោទិន្នផល | អាយអេសអូ | 30 | 35 |
| dB | ||
| ការបញ្ជាក់ |
| ផ្ទៃតុ | ម៉ូឌុល | ||||
| វិមាត្រL x W x H |
| 320 × 220 × 90 ម។ | 90 × 70 × 18 ម។ | ||||
| តម្រូវការថាមពល |
| AC 220V ± 10％ 30W | DC +5V GND | ||||
| ទិន្នផលអុបទិក |
| SMF/PMF | |||||
| របៀបប្រតិបត្តិការ |
| CW,ម៉ូឌុលខាងក្នុង ម៉ូឌុលសញ្ញាខាងក្រៅ | |||||
| ឧបករណ៍ភ្ជាប់អុបទិក |
| FC/PC, FC/APCឬអ្នកប្រើប្រាស់បានបញ្ជាក់ | |||||
វិសាលគមធម្មតា។
អំពីពួកយើង
Rofea Optoelectronics ផ្តល់ជូននូវជួរដ៏ទូលំទូលាយនៃម៉ូឌុលអេឡិចត្រូអុបទិកពាណិជ្ជកម្ម ម៉ូឌុលដំណាក់កាល ឧបករណ៍ចាប់រូបភាព ឧបករណ៍ចាប់ប្រភពពន្លឺឡាស៊ែរ ឡាស៊ែរ DFB ឧបករណ៍ពង្រីកអុបទិក EDFAs ឡាស៊ែរ SLD ម៉ូឌុល QPSK ឡាស៊ែរជីពចរ ឧបករណ៍ចាប់ពន្លឺ ឧបករណ៍ចាប់រូបភាពដែលមានតុល្យភាព ឡាស៊ែរ semiconductor ឡាស៊ែរ , ឧបករណ៍ភ្ជាប់ជាតិសរសៃ, ឡាស៊ែរជីពចរ, អំភ្លីអុបទិក, ឧបករណ៍វាស់ថាមពលអុបទិក, ឡាស៊ែរអ៊ីនធឺណេត, ឡាស៊ែរដែលអាចលៃតម្រូវបាន, ម៉ូឌុលអេឡិចត្រូអុបទិកពន្យាពេលអុបទិក, ឧបករណ៍ចាប់អុបទិក, កម្មវិធីបញ្ជាឌីយ៉ូតឡាស៊ែរ, អំភ្លីហ្វាយប័រ, ឧបករណ៍ពង្រីកសរសៃអំពែរ erbium-doped និងប្រភពពន្លឺឡាស៊ែរ។ ជាងនេះទៅទៀត យើងផ្តល់នូវម៉ូឌុលដែលអាចប្ដូរតាមបំណងបានជាច្រើនដូចជា ម៉ូឌុលដំណាក់កាលអារេ 1 * 4, Vpi ទាបជ្រុល និងម៉ូឌុលអនុបាតផុតពូជខ្ពស់ជ្រុល ដែលត្រូវបានប្រើជាចម្បងនៅក្នុងសាកលវិទ្យាល័យ និងវិទ្យាស្ថាន។ ផលិតផលរបស់យើងផ្តល់ជូននូវជួររលកនៃ 780 nm ដល់ 2000 nm ជាមួយនឹងកម្រិតបញ្ជូនអេឡិចត្រូអុបទិករហូតដល់ 40 GHz ដែលបង្ហាញពីការបាត់បង់ការបញ្ចូលទាប Vp ទាប និង PER ខ្ពស់។ ពួកវាល្អសម្រាប់កម្មវិធីផ្សេងៗ រាប់ចាប់ពីតំណភ្ជាប់ RF អាណាឡូក ដល់ការទំនាក់ទំនងដែលមានល្បឿនលឿន។
គុណសម្បត្តិដ៏អស្ចារ្យនៅក្នុងឧស្សាហកម្មដូចជាការប្ដូរតាមបំណង ភាពសម្បូរបែប លក្ខណៈបច្ចេកទេស ប្រសិទ្ធភាពខ្ពស់ សេវាកម្មល្អឥតខ្ចោះ។ ហើយនៅឆ្នាំ 2016 បានឈ្នះវិញ្ញាបនបត្រសហគ្រាសបច្ចេកវិទ្យាខ្ពស់ទីក្រុងប៉េកាំង មានវិញ្ញាបនបត្រប៉ាតង់ជាច្រើន កម្លាំងខ្លាំង ផលិតផលដែលលក់ក្នុងទីផ្សារក្នុងស្រុក និងក្រៅប្រទេស ជាមួយនឹងស្ថេរភាព ដំណើរការល្អលើសគេ ដើម្បីឈ្នះការសរសើរពីអ្នកប្រើប្រាស់ក្នុង និងក្រៅប្រទេស!
សតវត្សទី 21 គឺជាយុគសម័យនៃការអភិវឌ្ឍន៍យ៉ាងខ្លាំងក្លានៃបច្ចេកវិទ្យា photoelectric ROF មានឆន្ទៈក្នុងការធ្វើឱ្យអស់ពីសមត្ថភាពដើម្បីផ្តល់សេវាកម្មសម្រាប់អ្នក និងបង្កើតភាពអស្ចារ្យជាមួយអ្នក។ យើងទន្ទឹងរង់ចាំកិច្ចសហប្រតិបត្តិការជាមួយអ្នក!
Rofea Optoelectronics ផ្តល់ជូននូវជួរផលិតផលនៃម៉ូឌុលអេឡិចត្រូអុបទិកពាណិជ្ជកម្ម ម៉ូឌុលដំណាក់កាល ម៉ូឌុលអាំងតង់ស៊ីតេ ឧបករណ៍ចាប់រូបភាព ប្រភពពន្លឺឡាស៊ែរ ឡាស៊ែរ DFB ឧបករណ៍ពង្រីកអុបទិក EDFA ឡាស៊ែរ SLD ម៉ូឌុល QPSK ឡាស៊ែរជីពចរ ឧបករណ៍ចាប់ពន្លឺ ឧបករណ៍ចាប់រូបភាពដែលមានតុល្យភាព អ្នកបើកបរឡាស៊ែរ , អំភ្លីអុបទិក, ឧបករណ៍វាស់ថាមពលអុបទិក, ឡាស៊ែរ Broadband, ឡាស៊ែរដែលអាចលៃតម្រូវបាន, ឧបករណ៍ចាប់អុបទិក, កម្មវិធីបញ្ជាឡាស៊ែរ diode, អំភ្លី Fiber ។ យើងក៏ផ្តល់ម៉ូឌុលពិសេសជាច្រើនសម្រាប់ការប្ដូរតាមបំណងផងដែរ ដូចជាម៉ូឌុលដំណាក់កាលអារេ 1*4, Vpi ទាបជ្រុល និងម៉ូឌុលអនុបាតផុតពូជខ្ពស់ជ្រុល ដែលត្រូវបានប្រើជាចម្បងនៅក្នុងសាកលវិទ្យាល័យ និងវិទ្យាស្ថាន។
សង្ឃឹមថាផលិតផលរបស់យើងនឹងមានប្រយោជន៍សម្រាប់អ្នក និងការស្រាវជ្រាវរបស់អ្នក។
