-
Rof semiconductor laser 1550nm ម៉ូឌុលឡាស៊ែរស្ថេរភាពប្រេកង់បន្ទាត់តូចចង្អៀត
ស៊េរី photon ប្រភពខ្នាតតូច ម៉ូឌុលឡាស៊ែរ semiconductor ទទឹងបន្ទាត់តូចចង្អៀត ជាមួយនឹងទទឹងបន្ទាត់តូចចង្អៀតបំផុត សំឡេង RIN ទាបបំផុត ស្ថេរភាពប្រេកង់ល្អ និងភាពជឿជាក់ ត្រូវបានគេប្រើយ៉ាងទូលំទូលាយនៅក្នុងប្រព័ន្ធចាប់សញ្ញា និងការរកឃើញខ្សែកាបអុបទិក (DTS, DVS, DAS ។ល។)
-
Rof Electro-Optic Modulator Laser Modulator Laser Light Source Tunable Laser
ជួរលៃតម្រូវប្រវែងរលក
ថាមពលទិន្នផល 10mw
ទទឹងបន្ទាត់តូចចង្អៀត
ចាក់សោខាងក្នុងនៃប្រវែងរលក
ការបញ្ជាពីចម្ងាយអាចប្រើបាន
-
Rof Nanosecond Pulsed Laser Modulator Laser ប្រភពពន្លឺ ns ម៉ូឌុល Pulse Laser
ប្រភពពន្លឺជីពចរស៊េរី Rof-PLS (ឡាស៊ែរជីពចរ Nanosecond) ប្រើសៀគ្វីដ្រាយជីពចរខ្លីតែមួយគត់ដើម្បីសម្រេចបាននូវទិន្នផលជីពចរតូចចង្អៀតបំផុតរហូតដល់ 3ns ខណៈពេលដែលប្រើឡាស៊ែរដែលមានស្ថេរភាពខ្ពស់ និង APC (ការគ្រប់គ្រងថាមពលដោយស្វ័យប្រវត្តិ) និង ATC (ការគ្រប់គ្រងសីតុណ្ហភាពដោយស្វ័យប្រវត្តិ។ ) សៀគ្វីដើម្បីធ្វើឱ្យថាមពលទិន្នផលនិងរលកមានស្ថេរភាពខ្ពស់ហើយអាចត្រួតពិនិត្យសីតុណ្ហភាពថាមពលនិងព័ត៌មានផ្សេងទៀតនៃប្រភពពន្លឺនៅក្នុងពេលវេលាជាក់ស្តែង។ស៊េរីនៃប្រភពពន្លឺជីពចរនេះត្រូវបានប្រើជាចម្បងសម្រាប់រចនាសម្ព័ន្ធ MOPA ប្រភពគ្រាប់ពូជឡាស៊ែរ ការវិភាគវិសាលគម ការចាប់សរសៃ ការធ្វើតេស្តឧបករណ៍អកម្ម។
-
Rof Electro Optic Modulator semiconductor laser ASE Broadband Light Source ម៉ូឌុល ASE Laser
ប្រភពពន្លឺស៊េរី ROF-ASE ត្រូវបានផ្អែកលើគោលការណ៍នៃវិទ្យុសកម្មដោយឯកឯងដែលបង្កើតឡើងដោយជាតិសរសៃ doped ដ៏កម្រដែលបូមដោយឡាស៊ែរ semiconductor រួមបញ្ចូលគ្នាជាមួយបច្ចេកវិទ្យាត្រួតពិនិត្យមតិត្រឡប់អុបទិកក្នុងស្រុក។ប្រភពពន្លឺ ASE លើតុមានគុណសម្បត្តិនៃថាមពលទិន្នផលខ្ពស់ បន្ទាត់រាងប៉ូលទាប ស្ថេរភាពថាមពលខ្ពស់ និងស្ថេរភាពនៃរលកមធ្យមល្អ ដែលអាចបំពេញតម្រូវការប្រតិបត្តិការដ៏តឹងរឹងនៃប្រភពពន្លឺអ៊ីនធឺណិតក្នុងវិស័យស្រាវជ្រាវ ការចាប់សញ្ញា ការធ្វើតេស្ត និងរូបភាព។
-
Rof Electro Optic Modulator semiconductor laser ប្រភព SLD Broadband Light Source SLD Laser module
ROF-SLD ស៊េរី SLD ប្រភពពន្លឺ broadband ទទួលយកសៀគ្វី ATC និង APC តែមួយគត់ ដើម្បីធានាបាននូវស្ថេរភាពថាមពលអុបទិកទិន្នផលខ្ពស់ និងស្ថេរភាពទម្រង់រលកវិសាលគម ជាមួយនឹងការគ្របដណ្តប់ជួរវិសាលគមធំទូលាយ ថាមពលទិន្នផលខ្ពស់ លក្ខណៈភ្ជាប់គ្នាទាប អាចកាត់បន្ថយសំឡេងរំខានការរកឃើញប្រព័ន្ធយ៉ាងមានប្រសិទ្ធភាព។កែលម្អគុណភាពបង្ហាញលំហ (សម្រាប់កម្មវិធី OCT) និងភាពប្រែប្រួលនៃការវាស់វែងប្រសើរឡើង (សម្រាប់ការចាប់សរសៃ)។តាមរយៈការរួមបញ្ចូលសៀគ្វីតែមួយគត់ ប្រភពពន្លឺ ultra-wideband ដែលមានកម្រិតបញ្ជូនវិសាលគមទិន្នផលរហូតដល់ 400nm អាចសម្រេចបាន ដែលភាគច្រើនត្រូវបានប្រើប្រាស់នៅក្នុងបច្ចេកវិទ្យាក្រូម៉ាតូក្រាមដំណាក់កាលអុបទិក ប្រព័ន្ធចាប់សរសៃអុបទិក និងប្រព័ន្ធទំនាក់ទំនង និងការវាស់វែង។
-
Rof EA modulator laser Pulse laser source DFB Laser module EA laser ប្រភពពន្លឺ
ROF-EAS ស៊េរី EA modulator ប្រភពឡាស៊ែររួមបញ្ចូលមុខងារនៃ DFB laser និង EA modulator ជាមួយនឹងការស្រែកទាប តង់ស្យុងបើកបរទាប (Vpp: 2~3V) ការប្រើប្រាស់ថាមពលទាប ប្រសិទ្ធភាពនៃម៉ូឌុលខ្ពស់ ហើយត្រូវបានគេប្រើយ៉ាងទូលំទូលាយក្នុង 10Gbps, 40Gbps និង ប្រព័ន្ធទំនាក់ទំនងខ្សែកាបអុបទិកល្បឿនលឿនផ្សេងទៀត និងមីក្រូហ្វូតូនិច។
-
ម៉ូឌុលបញ្ជូនពន្លឺដោយផ្ទាល់អាណាឡូក ROF-DML ម៉ូឌុលបញ្ជូនពន្លឺដោយផ្ទាល់ម៉ូឌុលឡាស៊ែរ
ROF-DML series analog wideband direct-modulated optical emission module, using high linear microwave direct-modulated DFB laser (DML), របៀបធ្វើការដែលមានតម្លាភាពពេញលេញ គ្មាន amplifier កម្មវិធីបញ្ជា RF និងរួមបញ្ចូលគ្នានូវការគ្រប់គ្រងថាមពលស្វ័យប្រវត្តិ (APC) និងសៀគ្វីគ្រប់គ្រងសីតុណ្ហភាពដោយស្វ័យប្រវត្តិ ( ATC) នេះធានាថា ឡាស៊ែរអាចបញ្ជូនរលកសញ្ញាមីក្រូវ៉េវ RF ដល់ទៅ 18GHz លើចម្ងាយឆ្ងាយ ជាមួយនឹងកម្រិតបញ្ជូនខ្ពស់ និងការឆ្លើយតបរាបស្មើ ដែលផ្តល់នូវការទំនាក់ទំនងតាមសរសៃលីនេអ៊ែរដ៏ប្រសើរសម្រាប់កម្មវិធីមីក្រូវ៉េវតាមអ៊ីនធឺណិតអាណាឡូកជាច្រើនប្រភេទ។ដោយជៀសវាងការប្រើខ្សែ coaxial ឬ waveguides ថ្លៃៗ ដែនកំណត់ចម្ងាយនៃការបញ្ជូនត្រូវបានលុបចោល ធ្វើអោយប្រសើរឡើងយ៉ាងខ្លាំងនូវគុណភាពសញ្ញា និងភាពជឿជាក់នៃការទំនាក់ទំនងក្នុងមីក្រូវ៉េវ ហើយអាចត្រូវបានប្រើយ៉ាងទូលំទូលាយនៅក្នុងការចែកចាយរលកសញ្ញាពីចម្ងាយ ពេលវេលា និងសេចក្តីយោង telemetry និងការពន្យាពេល និងផ្សេងៗទៀត។ វិស័យទំនាក់ទំនងមីក្រូវ៉េវ។
-
Rof Eo modulator Pulse laser source DFB Laser module DFB Semiconductor laser ប្រភពពន្លឺ
ប្រភពឡាស៊ែរ DFB ប្រើប្រាស់បន្ទះឈីបឡាស៊ែរ DFB ដែលមានប្រសិទ្ធភាពខ្ពស់ សៀគ្វី ATC និង APC ដែលរចនាឡើងដោយឡែក និងការគ្រប់គ្រងដោយឯកោ ដើម្បីធានាបាននូវស្ថេរភាពថាមពល និងរលកចម្ងាយខ្ពស់។
