ឥទ្ធិពលនៃឌីយ៉ូតស៊ីលីកុនកាបូនដែលមានថាមពលខ្ពស់លើ PIN Photodetector
ថាមពលខ្ពស់ស៊ីលីកុនកាបូនឌីយ៉ូត PIN តែងតែជាចំណុចក្តៅមួយនៅក្នុងវិស័យស្រាវជ្រាវឧបករណ៍ថាមពល។ឌីយ៉ូត PIN គឺជាឌីយ៉ូតគ្រីស្តាល់ដែលបង្កើតឡើងដោយការបិទភ្ជាប់ស្រទាប់នៃសារធាតុ semiconductor ខាងក្នុង (ឬសារធាតុ semiconductor ដែលមានកំហាប់ទាបនៃភាពមិនបរិសុទ្ធ) រវាងតំបន់ P+ និងតំបន់ n+ ។i ក្នុងកូដ PIN គឺជាអក្សរកាត់ជាភាសាអង់គ្លេសសម្រាប់អត្ថន័យនៃ "ខាងក្នុង" ព្រោះវាមិនអាចទៅរួចទេដែលមានសារធាតុ semiconductor សុទ្ធដោយគ្មានភាពមិនបរិសុទ្ធដូច្នេះស្រទាប់ I នៃ PIN diode នៅក្នុងកម្មវិធីគឺច្រើនឬតិចលាយជាមួយបរិមាណ P តិចតួច។ - ប្រភេទ ឬ N ប្រភេទមិនបរិសុទ្ធ។នាពេលបច្ចុប្បន្ននេះ silicon carbide PIN diode ភាគច្រើនទទួលយករចនាសម្ព័ន្ធ Mesa និងរចនាសម្ព័ន្ធយន្តហោះ។
នៅពេលដែលប្រេកង់ប្រតិបត្តិការរបស់ PIN diode លើសពី 100MHz ដោយសារតែឥទ្ធិពលផ្ទុកនៃក្រុមហ៊ុនបញ្ជូនមួយចំនួន និងឥទ្ធិពលនៃពេលវេលាឆ្លងកាត់នៅក្នុងស្រទាប់ I នោះ diode បាត់បង់ឥទ្ធិពលកែតម្រូវ ហើយក្លាយជាធាតុ impedance ហើយតម្លៃ impedance របស់វាប្រែប្រួលជាមួយនឹងវ៉ុលលំអៀង។នៅសូន្យ bias ឬ DC បញ្ច្រាស bias, impedance នៅក្នុងតំបន់ I គឺខ្ពស់ណាស់។នៅក្នុង DC forward bias តំបន់ I បង្ហាញពីស្ថានភាព impedance ទាបដោយសារតែការចាក់បញ្ចូលក្រុមហ៊ុនបញ្ជូន។ដូច្នេះ PIN diode អាចត្រូវបានប្រើជាធាតុ impedance អថេរក្នុងវិស័យមីក្រូវ៉េវ និង RF control វាជាញឹកញាប់ត្រូវប្រើឧបករណ៍ប្ដូរដើម្បីសម្រេចបាននូវការប្ដូរសញ្ញា ជាពិសេសនៅក្នុងមជ្ឈមណ្ឌលបញ្ជាសញ្ញាប្រេកង់ខ្ពស់មួយចំនួន PIN diodes មានឧត្តមភាព។ សមត្ថភាពគ្រប់គ្រងសញ្ញា RF ប៉ុន្តែក៏ត្រូវបានគេប្រើយ៉ាងទូលំទូលាយក្នុងការផ្លាស់ប្តូរដំណាក់កាល ម៉ូឌុល ការកំណត់ និងសៀគ្វីផ្សេងៗទៀត។
ឌីយ៉ូតស៊ីលីកុនកាបូនដែលមានថាមពលខ្ពស់ត្រូវបានប្រើប្រាស់យ៉ាងទូលំទូលាយនៅក្នុងវិស័យថាមពលដោយសារតែលក្ខណៈធន់នឹងតង់ស្យុងខ្ពស់របស់វា ដែលភាគច្រើនត្រូវបានគេប្រើជាបំពង់កែតម្រូវថាមពលខ្ពស់។ឌីយ៉ូត PIN មានវ៉ុលបំបែកបំរែបំរួលបញ្ច្រាសខ្ពស់ VB ដោយសារតែស្រទាប់ doping i ទាបនៅកណ្តាលដែលផ្ទុកការធ្លាក់ចុះវ៉ុលចម្បង។ការបង្កើនកម្រាស់នៃតំបន់ I និងកាត់បន្ថយកំហាប់សារធាតុ doping នៃតំបន់ ខ្ញុំអាចធ្វើអោយប្រសើរឡើងនូវវ៉ុលបំបែកបញ្ច្រាសនៃ PIN diode ប៉ុន្តែវត្តមានរបស់ zone ខ្ញុំនឹងធ្វើអោយប្រសើរឡើងនូវការធ្លាក់ចុះតង់ស្យុងទៅមុខ VF នៃឧបករណ៍ទាំងមូល និងពេលវេលាប្តូរឧបករណ៍។ ក្នុងកម្រិតជាក់លាក់មួយ ហើយ diode ធ្វើពីសម្ភារៈ silicon carbide អាចបង្កើតបានសម្រាប់កង្វះទាំងនេះ។Silicon carbide 10 ដងនៃវាលអគ្គិសនីដែលបំបែកសំខាន់នៃស៊ីលីកូន ដូច្នេះកម្រាស់របស់ silicon carbide diode I zone I អាចត្រូវបានកាត់បន្ថយមកត្រឹមមួយភាគដប់នៃបំពង់ស៊ីលីកុន ខណៈពេលដែលរក្សាបាននូវវ៉ុលបំបែកខ្ពស់ គួបផ្សំជាមួយនឹងចរន្តកំដៅដ៏ល្អនៃសមា្ភារៈស៊ីលីកុន carbide ។ វានឹងមិនមានបញ្ហាការសាយភាយកំដៅជាក់ស្តែងទេ ដូច្នេះស៊ីលីកុនកាបូនឌីយ៉ូតដែលមានថាមពលខ្ពស់បានក្លាយជាឧបករណ៍កែតម្រូវដ៏សំខាន់បំផុតនៅក្នុងវិស័យអេឡិចត្រូនិកថាមពលទំនើប។
ដោយសារតែចរន្តលេចធ្លាយបញ្ច្រាសតូចខ្លាំង និងភាពចល័តនៃក្រុមហ៊ុនដឹកជញ្ជូនខ្ពស់នោះ ឌីយ៉ូតស៊ីលីកុនកាបូនមានការទាក់ទាញយ៉ាងខ្លាំងនៅក្នុងផ្នែកនៃការរកឃើញ photoelectric ។ចរន្តលេចធ្លាយតូចអាចកាត់បន្ថយចរន្តងងឹតនៃឧបករណ៍រាវរកនិងកាត់បន្ថយសំលេងរំខាន;ភាពចល័តនៃក្រុមហ៊ុនដឹកជញ្ជូនខ្ពស់អាចធ្វើអោយប្រសើរឡើងនូវភាពប្រែប្រួលនៃឧបករណ៍ចាប់លេខ PIN ស៊ីលីកុនកាបៃ (PIN Photodetector) យ៉ាងមានប្រសិទ្ធភាព។លក្ខណៈថាមពលខ្ពស់នៃ diodes ស៊ីលីកុន កាបៃ អាចឱ្យឧបករណ៍ចាប់កូដ PIN រកឃើញប្រភពពន្លឺខ្លាំងជាង ហើយត្រូវបានប្រើប្រាស់យ៉ាងទូលំទូលាយនៅក្នុងវាលលំហ។ស៊ីលីកុន carbide diode ថាមពលខ្ពស់ត្រូវបានគេយកចិត្តទុកដាក់ដោយសារតែលក្ខណៈល្អឥតខ្ចោះរបស់វា ហើយការស្រាវជ្រាវរបស់វាត្រូវបានបង្កើតឡើងយ៉ាងខ្លាំងផងដែរ។
ពេលវេលាប្រកាស៖ ថ្ងៃទី ១៣ ខែតុលា ឆ្នាំ ២០២៣